mos管怎么測試好壞

用萬能表檢測mos管好壞的方法：

將萬用表兩個表筆分別搭接在其他兩個極：給B極與任意一個極接一個10千歐姆電阻 ，電阻先不要接上
，把表筆分別放在兩級，電阻這時再接觸 ，指針擺動越大證明該管拆兆敗子放大系數(shù)就越大
，也就是說該管子就越好，反之越差 。

接電阻的那一端為C極；若是紅表筆為P管 ，黑表筆旅顫為N管
。凡是不符合以上測量數(shù)據(jù)的三極管都是壞的。

萬用表的相關(guān)要求規(guī)定：

1、指針表讀取精度較差，但指針擺動的過程比較直觀
，其擺動速度幅度有時也能比較客觀地反映了被測量的大小（比如測電視機數(shù)據(jù)總線(SDL)在傳送數(shù)據(jù)時的輕微抖動）；數(shù)字表讀數(shù)直觀，但數(shù)字變化的過程看起來很雜亂 ，不太容易觀猜絕看 。

2 、數(shù)字萬用表的準確度是測量結(jié)果中系統(tǒng)誤差與隨機誤差的綜合
。它表示測量值與真值的一致程度
，也反映測量誤差的大小。一般講準確度愈高，測量誤差就愈小 ，反之亦然 。

3
、指針表內(nèi)一般有兩塊電池
，一塊低電壓的1.5V,一塊是高電壓的9V或15V,其黑表筆相對紅表筆來說是正端。數(shù)字表則常用一塊6V或9V的電池
。在電阻檔，指針表的表筆輸出電流相對數(shù)字表來說要大很多 ，用R×1Ω檔可以使揚聲器發(fā)出響亮的“噠 ”聲
，用R×10kΩ檔甚至可以點亮發(fā)光二極管。

MOS管的好壞如何判斷

用萬用表R×1k檔或R×10k檔，測量場效應(yīng)管任意兩腳之間的正、反向電阻值 。正常時 ，除漏極與源極的正向電阻值較小外
，其余各引腳之間（G與D 、G與S）的正
、反向電阻值均應(yīng)為無窮大
。若測得某兩極之間的電阻值接昌晌近0Ω，則說明該管已擊穿損壞。

另外 ，還可以用觸發(fā)柵極（P溝橋好道場效應(yīng)晶敏迅鉛體管用紅表筆觸發(fā)，N溝道場效應(yīng)管用黑表筆觸發(fā)）的方法來判斷場應(yīng)管是否損壞 。若觸發(fā)有效（觸發(fā)柵極G后
，D、S極之間的正 、反向電阻均變?yōu)?），則可確定該管性能良好
。

MOS管用數(shù)字萬用表怎么測其好壞及引腳？

用數(shù)字萬用表測量MOS管好壞及引腳的方法：以N溝道MOS場效應(yīng)管為例。

一、先確定MOS管的引腳：

1
、先對MOS管放電 ，將三個腳短路即可；

1、首先找出場效應(yīng)管的D極（漏極） 。對于TO-252 、TO-220這類封裝的帶有散熱片的場效應(yīng)管
，它們的散熱片在內(nèi)部是與管子的D極相連的，故我們可用數(shù)字萬用表的二極管檔測量管子的各個引腳 ，哪個引腳與散熱片相連
，哪個引腳就是D極
。

2
、找到D極后，將萬用表調(diào)至二極管檔；

3、用黑表筆接觸管子的D極 ，用紅表筆分別接觸管子的另外兩個引腳。若接觸到某個引腳時
，萬用表顯示的讀數(shù)為一個硅二極管的正向壓降，那么該引腳即為S極（源極） ，剩下的那個引腳即為G極（柵極） 。

二 、MOS管好壞的測量：

1
、當把紅表筆放在S極上
，黑表筆放在D極上，可以測出來這個導(dǎo)通壓降 ，一般在0.5V左右為正常；

2、G腳測量，需要先對G極充下電
，把紅表筆放在G極，黑表筆放在S極；

3 、再次把紅表檔行純筆放在S極上 ，黑表筆放在D極上
，可以測出來這個放大壓降，一般在0.3V左右為正常；

擴展資料

MOS管的主要參數(shù)

1
、開啟電壓VT

開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；

標準的N溝道MOS管 ，VT約為3～6V；通過工藝上的改進
，可以使MOS管的VT值降到2～3V
。

2、直流輸入電阻RAH

即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

這一特性有時以流過柵極的柵流表示

MOS管的RAH 可以很容易地超過1010Ω。

3. 、漏源擊穿電壓BVDS

在VAH =0（增強型）的條件下，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

ID劇增的原因有下列兩個方面：

（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿；

（2）漏源極間的穿通擊穿；

有些MOS管中 ，其溝道長度較短
，不斷增加VDS會使漏區(qū)的耗盡層一直擴展到源區(qū)，使溝道長度為零 ，即產(chǎn)生漏源間的穿通
，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子 ，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區(qū)
，產(chǎn)生大的ID 。

4
、柵源擊穿電壓BVAH

在增加?xùn)旁措妷哼^程中，使柵極電流IG由零開始劇增時的VAH ，稱為柵源擊穿電壓BVAH 。

5、低頻跨導(dǎo)gm

在VDS為某一固定數(shù)值的條件下
，漏極電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)；

gm反映了柵源電行咐壓對漏極電流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一個重要參數(shù)

一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)

6 、導(dǎo)通電阻RON

導(dǎo)通電阻RON說明帶姿了VDS對ID的影響 ，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數(shù)

在飽和區(qū)
，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大 ，一般在幾十千歐到幾百千歐之間

由于在數(shù)字電路中
，MOS管導(dǎo)通時經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時的導(dǎo)通電阻RON可用原點的RON來近似

·對一般的MOS管而言 ，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)

7、極間電容

三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容CAH
、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

CAH 和CGD約為1～3pF
，CDS約在0.1～1pF之間

8、低頻噪聲系數(shù)NF

噪聲是由管子內(nèi)部載流子運動的不規(guī)則性所引起的
。·由于它的存在，就使一個放大器即便在沒有信號輸人時 ，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化

噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示，它的單位為分貝（dB）。這個數(shù)值越小
，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小

低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測出的噪聲系數(shù)

場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個分貝，它比雙極性三極管的要小

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