3.3V升5V （AH6901）切換市場(chǎng)6291升壓芯片

振邦微科技新推出巖神正一款3.3V升5V （AH6901）切換市場(chǎng)6291升壓芯片 ，AH6901是一款小封裝（SOT23-6）、CC(恒流)模式的AH M升壓ic,適用于鋰電池（3～4.2V）輸出5V 1A的移動(dòng)電源應(yīng)用。AH6901輸入電壓范圍可由最低2.7伏特到最高12伏特，輸出電壓3.3升5V可調(diào)整且內(nèi)部MOS輸出開(kāi)關(guān)電流可高達(dá)2A,封裝為SOT23-6,工作頻率為1MHZ,可以搭配3.3uh小型貼片電感
，減少成品體積，非常適合于數(shù)瞎此碼便攜產(chǎn)品電池供電 ，3G網(wǎng)絡(luò)粗悔產(chǎn)品
，數(shù)碼相機(jī)，LCD液晶屏背光電路 ，太陽(yáng)能照明路燈
，網(wǎng)絡(luò)通訊等產(chǎn)品的電壓轉(zhuǎn)換 。

? ? ? ? AH6901內(nèi)置過(guò)溫保護(hù)，關(guān)斷保護(hù) ，欠壓保護(hù)
，過(guò)流保護(hù)，并可以外接電阻調(diào)整最大電流值。

3.3V升5V （AH6901）切換市場(chǎng)6291升壓芯片應(yīng)用于：數(shù)碼相機(jī) ，移動(dòng)電源, 藍(lán)牙音箱
，插卡音箱 、LED臺(tái)燈，便捷DVD ，MID，移動(dòng)電話等數(shù)碼產(chǎn)品應(yīng)用
。

AH6901典型應(yīng)用

應(yīng)用? ? 電流? ? 轉(zhuǎn)換效率

3V升5? ? ? 1A? ? ? 86%

5v升7.4v? 400MA? ? 92%

5V升12v? ? 200MA? ? 90%

Am29LV800D-----這個(gè)flash.如何接成16位，和8位？？求助

（1）S3C2440 的地址線 ADDR1-19 與 Am29LV800D 的地址線 A0-18 依次武漢理工大學(xué)碩士學(xué)位論文

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相連。由于 NOR Flash 選擇的是 512K×16Bit 存儲(chǔ)形式 ，即 NOR Flash 的最小

存儲(chǔ)單位為 2 字節(jié)
，而 S3C2440 最小尋址單位為 1 字節(jié)，因此需要將地址線的

第二位 ADDR1 與 A0 相連 ，而 ADDR0 不與 NOR Flash 芯片相連 。

（2）16位數(shù)據(jù)線依次相連
。其中端口DQ15/A-1有兩種用途
，如嘩沒(méi)廳果NOR Flash

芯片選擇的是 1024K×8Bit 存儲(chǔ)方式，該端口將作為最低位的地址線 ，而本文選

擇的是 512K×16Bit 存儲(chǔ)方式
，因此該端口用作數(shù)據(jù)線的最高位 DQ15。

（3）CE 是片選信號(hào)，由于 NOR Flash 連接到 BANK0 ，因此需要用到 BANK0

的片選信號(hào) nGAH 0 。讀使能 OE
，寫使能 WE 與 S3C2440 對(duì)應(yīng)引腳相連
。

（4）RY/BY 表示 NOR Flash 是就緒還是繁忙的狀態(tài)信息，此處沒(méi)有使用 ，

所以懸空。RESET 低電平有效，與電路的復(fù)位模塊相連 。

（5）BYTE 是 NOR Flash 芯片讀寫方式的選擇
，高電平對(duì)應(yīng) 16bit 模式，低

電平對(duì)應(yīng) 8bit 模式
。本文使用的是 16bit 模式 ，因此直接接 VDD。

（6）OM0
，OM1 是 S3C2440 啟動(dòng)方式的選擇 。當(dāng) OM0=1，OM1=0 芯片置

為 16bit 方式 ，并且將 NOR Flash 芯片映射到 BANK0 地址 0x0 處
。S3C2440 只

有 16bit 和 32bir 兩種使用 NOR Flash 啟動(dòng)的方式
，因此前面的 Am29LV800D 只

能使用 16bit 讀寫方式，而不能使用 8bit 模式。

NOR Flash 的讀寫方式基本與內(nèi)存一樣 ，可以直接在其地址范圍內(nèi)進(jìn)行讀寫 。

因此將啟動(dòng)程序拷貝到亂隱 NOR Flash 里面
，上電后便可以直接運(yùn)行。但 NOR Flash

價(jià)格昂貴，而且 1M 容量也顯不足 ，因此本系統(tǒng)還加上了一塊 NAND Flash 芯片

作為補(bǔ)充
。

2.4.2 NAND Flash 存儲(chǔ)器電路設(shè)計(jì)

相對(duì)于 NOR Flash 的昂貴
，NAND Flash 則要便宜很多，因此更適合作為較

大容量的存儲(chǔ)介質(zhì)使用。1989 年?yáng)|芝公司發(fā)表了 NAND Flash 技術(shù)（后將該技

術(shù)無(wú)償轉(zhuǎn)讓給韓國(guó)三星公司） ，NAND Flash 技術(shù)強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高

的性能
，并且像磁盤一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí) 。NAND Flash 結(jié)構(gòu)能提供極高

的單元密度，可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度 ，并且寫入和擦除的速度也很快
。其缺點(diǎn)在

于需要特殊的系統(tǒng)接口
，并且 CPU 需要驅(qū)動(dòng)程序才能從 NAND Flash 中讀取數(shù)

據(jù)，使用時(shí)一般是將數(shù)據(jù)從 NAND Flash 中拷貝到 SDRAM 中 ，再供 CPU 順序

執(zhí)行
，這也是大多數(shù)嵌入式系統(tǒng)不能從 NAND Flash 中啟動(dòng)的原因。

S3C2440 不僅支持從 NOR Flash 啟動(dòng)，而且支持從 NAND Flash 啟動(dòng) 。這是武漢理工大學(xué)碩士學(xué)位論文

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因?yàn)閺?NAND Flash 啟動(dòng)的時(shí)候 ，F(xiàn)lash 中開(kāi)始 4k 的數(shù)據(jù)會(huì)被 S3C2440 自動(dòng)地復(fù)

制到芯片內(nèi)部一個(gè)叫“Steppingstone”的 RAM 中
，并把 0x0 設(shè)置為內(nèi)部 RAM

的起始地址，然后 CPU 從內(nèi)部 RAM 的 0x0 位置開(kāi)始執(zhí)行
。這個(gè)過(guò)程不需要程

序干涉。而程序則可使用這 4k 代碼來(lái)把更多數(shù)據(jù)從 NAND Flash 中拷貝到

SDRAM 中去 ，從而實(shí)現(xiàn)從 NAND Flash 啟動(dòng) 。

選擇是從 NOR Flash 啟動(dòng)
，還是 NAND Flash 啟動(dòng)，需要對(duì) OM0 和 OM1

引腳進(jìn)行不同的設(shè)置 ，如果常常需要切換啟動(dòng)模式，可以將這兩個(gè)引腳接到跳

線柱上
，通過(guò)跳線夾對(duì)其進(jìn)行設(shè)置
。

本文選用的是三星公司出品的 K9F1208U0B NAND Flash 芯片察滾，該芯片容量

為 64M×8bit。由于 S3C2440 已經(jīng)內(nèi)置了 NAND Flash 控制器 ，因此電路設(shè)計(jì)十

分簡(jiǎn)單
，不需要再外加控制芯片 。電路圖如圖 2－4 所示
。

圖 2－4 NAND Flash 電路圖

電路圖說(shuō)明：

（1）由于 NAND Flash 芯片是以字節(jié)為單位存儲(chǔ)的，因此的數(shù)據(jù)線 I/O0-7

直接與 S3C2440 的數(shù)據(jù)線 DATA0-7 相連 ，不需要像 NOR Flash 那樣偏移一位進(jìn)

行相連。I/O0-7 是充當(dāng)?shù)刂?
，命令，數(shù)據(jù)復(fù)用的端口 。

（2）ALE 地址鎖存允許 ，CLE 命令鎖存允許
，CE 片選，WE 寫使能 ，RE

讀使能依次與 S3C2440 的 NAND Flash 控制器的引腳 ALE
，CLE，nFCE ，nFWE，

nFRE 相連。

（3）WP 寫保護(hù)
，這里沒(méi)有用到，直接接到高電平使其無(wú)效
。VCC 與電源

相連 ，VSS 與地相連。武漢理工大學(xué)碩士學(xué)位論文

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（4）當(dāng) OM0
，OM1 均接地為 0 時(shí)，S3C2440 將會(huì)從 NAND Flash 中啟動(dòng) ，

內(nèi)部 RAM“Steppingstone ”將會(huì)被映射到 0x0 位置
，取代本來(lái)在這個(gè)位置的 NOR

Flash 。上電時(shí) NAND Flash 中的前 4K 數(shù)據(jù)會(huì)被自動(dòng)拷貝到“Steppingstone”中，

從而實(shí)現(xiàn)從 NAND Flash 啟動(dòng)
。

（5）NCON、GPG15 接地；GPG13
、14 接電源。這四個(gè)引腳用來(lái)對(duì) NAND

Flash 進(jìn)行設(shè)置 。以上設(shè)置表示使用的 Flash 是普通 NAND Flash ，一頁(yè)的大小為

512 字 節(jié) 
， 需 要 進(jìn) 行 4 個(gè) 周 期 的 地 址 傳 輸 完 成 一 次 尋 址 操 作 （ 這 是 因 為

K9F1208U0B 片內(nèi)采用 26 位尋址方式，從第 0 位開(kāi)始分四次通過(guò) I/O0－I/O7 進(jìn)

行傳送） ，數(shù)據(jù)位寬為 8bit
。不同的芯片有不同的設(shè)置方式
，以上是 K9F1208U0B

的設(shè)置方式，其它芯片的設(shè)置方法需要參考 S3C2440 和具體使用的 NAND Flash

芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè)。

NAND Flash 不對(duì)應(yīng)任何 BANK ，因此不能對(duì) NAND Flash 進(jìn)行總線操作，

也就無(wú)法像 NOR Flash 和 SDRAM 一樣通過(guò)地址直接進(jìn)行訪問(wèn) 。對(duì) NAND Flash

存儲(chǔ)芯片進(jìn)行操作
，必須通過(guò) NAND Flash 控制器的專用寄存器才能完成
。

NAND Flash 的寫操作必須以塊方式進(jìn)行，讀操作可以按字節(jié)讀取。

對(duì) K9F1208U0B 的操作是通過(guò)向命令寄存器（對(duì)于 S3C2440 來(lái)說(shuō)此寄存器

為 NFCMMD ，內(nèi)存映射地址為 0x4e000004）發(fā)送命令隊(duì)列實(shí)現(xiàn)的
，命令隊(duì)列一

般是連續(xù)幾條命令或是一條命令加幾個(gè)參數(shù)，具體的命令可以參考 K9F1208U0B

的數(shù)據(jù)手冊(cè) 。地址寄存器把一個(gè)完整的 NAND Flash 地址分解成 Column Address

與 Page Address 進(jìn)行尋址
。Column Address 是列地址 ，用來(lái)指定 Page 上的具體

某個(gè)字節(jié)。Page Address 是頁(yè)地址
，用來(lái)確定讀寫操作是在 Flash 上的哪個(gè)頁(yè)進(jìn)

行的，由于頁(yè)地址總是以 512 字節(jié)對(duì)齊的 ，所以它的低 9 位總是 0 。

一個(gè) 26 位地址中的 A0~A7 是它的列地址
，A9~A25 是它的頁(yè)地址。當(dāng)發(fā)送

完命令后（例如讀命令 00h 或 01h），地址將分 4 個(gè)周期發(fā)送
。第一個(gè)周期是發(fā)

送列地址。之后 3 個(gè)周期則是指定頁(yè)地址 。當(dāng)發(fā)送完地址后 ，就可以通過(guò)數(shù)據(jù)

寄存器對(duì) NAND Flash 進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫
。以上只是 S3C2440 的 NAND Flash 控制

器的大致操作流程
，具體操作方式需要參考數(shù)據(jù)手冊(cè)。

2.4.3 SDRAM 存儲(chǔ)器電路設(shè)計(jì)

從 Flash 中讀取數(shù)據(jù)的速度相對(duì)較慢，而 S3C2440 運(yùn)行的速度卻很快 ，其執(zhí)

行指令的速度遠(yuǎn)高于從 Flash 中讀取指令的速度 。如果僅按照數(shù)據(jù)從 Flash 讀取，武漢理工大學(xué)碩士學(xué)位論文

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然后再到芯片處理的方式設(shè)計(jì)系統(tǒng)
，那么即使芯片的運(yùn)算能力再?gòu)?qiáng)，在沒(méi)有指

令執(zhí)行的情況下 ，它也只能等待
。因此系統(tǒng)中還需要加入 SDRAM。

SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)

存取存儲(chǔ)器
，同步是指工作時(shí)需要同步時(shí)鐘，內(nèi)部命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都

以它為基準(zhǔn) ，動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷的刷新來(lái)保證數(shù)據(jù)不丟失
，隨機(jī)是指

數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ)，而是由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫 。

SDRAM 是與系統(tǒng)時(shí)鐘同步工作的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 ，它具有數(shù)據(jù)吞吐量大
，速度

快，價(jià)格便宜等特點(diǎn)
。SDRAM 在系統(tǒng)中的主要作用是作為程序代碼的運(yùn)行空間。

當(dāng)系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí) ，CPU 首先從復(fù)位地址處讀取啟動(dòng)代碼
，在完成系統(tǒng)的初始化后，

將程序代碼調(diào)入 SDRAM 中運(yùn)行 ，以提高系統(tǒng)的運(yùn)行速度 。同時(shí)，系統(tǒng)和用戶

堆棧、操作數(shù)據(jù)也存放在 SDRAM 中
。

由于 SDRAM 自身結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)
，它需要定時(shí)刷新，這就要求硬件電路要有

定時(shí)刷新的功能 ，S3C2440 芯片在片內(nèi)集成了獨(dú)立的 SDRAM 控制電路
，可以

很方便的與 SDRAM 連接，使系統(tǒng)得以穩(wěn)定的運(yùn)行。

本設(shè)計(jì)使用的 SDRAM 芯片型號(hào)是 HY57V561620 ，存儲(chǔ)容量為 4Bank×4M

×l6bit
，每個(gè) Bank 為 8M 字節(jié)，總共大小為 32M 。本系統(tǒng)通過(guò)兩片 HY57V561620

構(gòu)建了 64MB 的 SDRAM 存儲(chǔ)器系統(tǒng) ，能滿足嵌入式操作系統(tǒng)及較復(fù)雜算法的

運(yùn)行要求。電路圖如圖 2－5 所示
。

圖 2－5 SDRAM 電路圖

電路圖說(shuō)明：

（1）本系統(tǒng)使用兩塊 HY57V561620 芯片組成容量 64M 的 SDRAM。兩片

SDRAM 都是以 2 字節(jié)為單位進(jìn)行存儲(chǔ)
，因此一次存儲(chǔ)的最小容量為 4 字節(jié) 。將

一塊芯片的數(shù)據(jù)線 DQ0-DQ15 與 S3C2440 的數(shù)據(jù)線低位 DATA0-DATA15 相連，武漢理工大學(xué)碩士學(xué)位論文

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而另一塊則與數(shù)據(jù)線的高位 DATA16-DATA31 相連
。

（2）兩塊 SDRAM 芯片地址線均與 S3C2440 地址線 ADDR2-ADDR14 依次

相連。SDRAM 的內(nèi)部是一個(gè)存儲(chǔ)陣列 ，陣列就如同表格一樣
，將數(shù)據(jù)“填
”進(jìn)去，

和表格的檢索原理一樣 ，先指定一個(gè)行（Row），再指定一個(gè)列（Column）
，就

可以準(zhǔn)確地找到所需要的單元格，這就是內(nèi)存芯片尋址的基本原理 。正因?yàn)槿?/p>

此 ， 地 址 是 通 過(guò) 將 存 儲(chǔ) 單 元 的 列 地 址 和 行 地 址 分 開(kāi) 進(jìn) 行 傳 送 的 
， 因 此

HY57V561620 只用了 13 根地址線便完成了一個(gè) BANK（8M 大?。┑膶ぶ?
。否

則按照正常情況 8M 大小的地址空間，按照字節(jié)傳輸 ，需要用到 24 根地址線。

由于本系統(tǒng)由兩塊 16bit 的芯片組成
，一次最小的存儲(chǔ)單位為 4 字節(jié)，也就是說(shuō)

尋址的間隔應(yīng)該為 4（2

2

）字節(jié) 。ADDR0 的間隔對(duì)應(yīng)為 1 字節(jié) ，ADDR1 為 2 字

節(jié)
，ADDR2 為 4 字節(jié)
。因此 HY57V561620 需要從 ADDR2 開(kāi)始連接，從而達(dá)

到一次尋址的間隔為 4 字節(jié)的目的。

（3）HY57V561620由 4個(gè)BANK組成 ，每個(gè)BANK大小為8M（4M×16bit） 。

因此在不同的 BANK 之間也需要尋址
。由于一個(gè) BANK 的大小為 8M=2

23


，因

此對(duì)間隔為 8M 的 BANK 空間尋址，需要使用從 ADDR24 開(kāi)始的兩根地址線。

所以 BA0 ，BA1 分別接到 ADDR24，ADDR25 。

（4）LDQM
，UDQM 為數(shù)據(jù)輸入輸出屏蔽，由 S3C2440 的 SDRAM 控制器

使用 ，這里連接到低位數(shù)據(jù)線的芯片連接到 DQM0
，DQM1；而連接到高位數(shù)據(jù)

線的芯片連接到 DQM2，DQM3。具體連接方法可以查看 S3C2440 的數(shù)據(jù)手冊(cè)
。

（5）片選信號(hào) AH 連接到 SDRAM 的片選信號(hào) nSAH 0 ，兩塊芯片對(duì)應(yīng)同一

片選信號(hào)。這是因?yàn)閮蓧K芯片是按照高位
，低位的方式連接的，他們處于同一

地址空間 。

（6）RAS 行地址選通信號(hào) ，CAS 列地址選通信號(hào)
，WE 寫使能，分別與

S3C2440 相應(yīng)的控制引腳 nSRAS 、nSCAS
、nWE 相連
。CLK 時(shí)鐘信號(hào) ，CKE

時(shí)鐘使能信號(hào)分別連接到 SCKE、SCLK。

使用程序讀寫 SDRAM 前
，需要初始化 SDRAM，對(duì)一些配置寄存器進(jìn)行設(shè)

置 。這里只使用了 BANK6 ，并未用到 BANK7
。

初始化的代碼大致如下：

void memsetup(void)

{

rBWSCON = 0x22111110; 武漢理工大學(xué)碩士學(xué)位論文

15

rBANKCON0 = 0x700;

rBANKCON1 = 0x700;

rBANKCON2 = 0x700;

rBANKCON3 = 0x700;

rBANKCON4 = 0x700;

rBANKCON5 = 0x700;

rBANKCON6 = 0x18005;

rBANKCON7 = 0x18005;

rREFRESH = 0x8e07a3;

rBANKSIZE = 0xb2;

rMRSRB6 = 0x30;

rMRSRB7 = 0x30;

}

BWSCON 寄存器這里主要用來(lái)設(shè)置位寬，其中每 4 位描述一個(gè) BANK
，對(duì)

于本系統(tǒng)，使用的是兩片容量為 32Mbyte 、位寬為 16 的 SDRAM ，組成了容量

為 64Mbyte
、位寬為 32 的存儲(chǔ)器
，因此要將 BANK6 設(shè)置為 32 位。BANKCON0-5

沒(méi)有用到，使用默認(rèn)值 0x700 即可 。BANKCON6-7 是用來(lái)設(shè)置 SDRAM ，設(shè)成

0x18005 意味著外接的是 SDRAM
，且列地址位數(shù)為 9
。REFRESH 寄存器用于設(shè)

置SDRAM的刷新周期，查閱HY57V561620數(shù)據(jù)手冊(cè)即可知道刷新周期的取值。

BANKSIZE 設(shè)置 BANK6 與 BANK7 的大小 。BANK6、BANK7 對(duì)應(yīng)的地址空間

與 BANK0~5 不同
。BANK0~5 的地址空間大小都是固定的 128M ，BANK7 的起

始地址是可變的
，本系統(tǒng)僅使用 BANK6 的 64M 空間，因此可以令該寄存器的

位[2:0]＝010（128M/128M）或 001（64M/64M） ，多出來(lái)的空間會(huì)被檢測(cè)出來(lái)
，

不會(huì)發(fā)生使用不存在內(nèi)存的情況，因?yàn)锽ootloader和Linux內(nèi)核都會(huì)作內(nèi)存檢測(cè)。

2.4.4 觸摸屏電路設(shè)計(jì)

使用觸摸屏 TSP（Touch Screen Panel）進(jìn)行輸入 ，是指用手指或其它物體觸

摸安裝在顯示器前端的觸摸屏，將所觸摸的位置（以坐標(biāo)形式）由觸摸屏控制

器檢測(cè)
，并通過(guò)接口送到 CPU，從而確定輸入的相應(yīng)信息 。觸摸屏通過(guò)一定的

物理機(jī)制 ，使用戶直接在加載觸摸屏的顯示器上
，通過(guò)觸摸控制方式而非傳統(tǒng)

的鼠標(biāo)鍵盤控制方式向計(jì)算機(jī)輸入信息[14]

。武漢理工大學(xué)碩士學(xué)位論文

16

根據(jù)其技術(shù)原理，觸摸屏可分為矢量壓力傳感式 、電阻式
、電容式、紅外

式和表面聲波式等五類 ，當(dāng)前電阻式觸摸屏在嵌入式系統(tǒng)中用的較多
。電阻觸

摸屏是一個(gè)多層的復(fù)合膜
，由一層玻璃或有機(jī)玻璃作為基層，表面涂有一層透

明的導(dǎo)電層 ，上面蓋有一層塑料層
，它的內(nèi)表面也涂有一層透明的導(dǎo)電層，在

兩層導(dǎo)電層之間有許多細(xì)小的透明隔離點(diǎn)把它們隔開(kāi)絕緣。工業(yè)中常用 ITO

（Indium Tin Oxide 氧化錫）作為導(dǎo)電層 。電阻式觸摸屏根據(jù)信號(hào)線數(shù)又分為四

線 、五線
、六線……等類型
。信號(hào)線數(shù)量越多 ，技術(shù)越復(fù)雜
，坐標(biāo)定位也越精

確。所有電阻式觸摸屏的基本原理都是類似的，當(dāng)觸摸屏幕時(shí) ，平常絕緣的兩

層導(dǎo)電層在觸摸點(diǎn)位置就有了一個(gè)接觸，控制器檢測(cè)到這個(gè)接通后
，由于其中

一面導(dǎo)電層接通 Y 軸方向的 5V 均勻電壓，另一導(dǎo)電層將接觸點(diǎn)的電壓引至控制

電路進(jìn)行 A/D 轉(zhuǎn)換 ，得到電壓值后與 5V 相比
，即可得觸摸點(diǎn)的 Y 軸坐標(biāo)，同

理得出 X 軸的坐標(biāo)[15]

 。本文使用是四線電阻式觸摸屏
。

S3C2440 提供 8 路 A/D 模擬輸入 ，其中有 4 路是與觸摸屏復(fù)用的
，如果 XP、

XM 、YP、YM 這 4 根引腳不用做觸摸屏輸入的時(shí)候可以作為普通的 A/D 轉(zhuǎn)換使

用。S3C2440 的觸摸屏接口有四種工作模式：

（1）正常轉(zhuǎn)換模式：此模式與通用的 A/D 轉(zhuǎn)換模式相似 。此模式可在

ADCCON（ADC 控制寄存器）中設(shè)置，在 ADCDAT0（數(shù)據(jù)寄存器 0）中完成

數(shù)據(jù)讀寫
。

（2）X/Y 坐標(biāo)各自轉(zhuǎn)換：觸摸屏控制器支持兩種轉(zhuǎn)換模式 ，X/Y 坐標(biāo)各自

轉(zhuǎn)換與 X/Y 坐標(biāo)自動(dòng)轉(zhuǎn)換。各自轉(zhuǎn)換是在 X 模式下
，將 X 坐標(biāo)寫入 ADCDAT0

然后產(chǎn)生中斷；在 Y 模式下，將 Y 坐標(biāo)寫入 ADCDAT1 然后產(chǎn)生中斷 。

（3）X/Y 坐標(biāo)自動(dòng)轉(zhuǎn)換：在此模式下 ，觸摸屏控制器先后轉(zhuǎn)換觸摸點(diǎn)的 X

坐標(biāo)與 Y 坐標(biāo)
。當(dāng) X 坐標(biāo)與 Y 坐標(biāo)都轉(zhuǎn)換完成時(shí)
，會(huì)向中斷控制器產(chǎn)生中斷。

（4）等待中斷模式：當(dāng)觸摸筆按下時(shí)，觸摸屏產(chǎn)生中斷（INT_TC） 。等待

中斷模式必須將寄存器 rADCTSC 設(shè)置為 0xd3；在觸摸屏控制器產(chǎn)生中斷以后 ，

必須將此模式清除。

本設(shè)計(jì)采用的觸摸屏是由廣州友善之臂公司提供的，并且已經(jīng)加在 LCD 屏

AA084VC03 之上
，與 LCD 一起提供了一個(gè)對(duì)外接口
。AA084VC03 是日本三菱

公司的 8.4 寸 TFT-LCD，分辨率為 640x480 ，262K 色。本款觸摸屏為四線電阻

式觸摸屏
，使用 S3C2440 的觸摸屏控制單元可以大大簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì) 。具體電路

圖見(jiàn)下一小節(jié)中的圖 2－6
。AM29LV800D

看看對(duì)你有沒(méi)有用

24v800ah等于多少度電

24v800ah等于19.2度電。

24*800=19200W，1度電＝圓槐1000W/小時(shí) ，19200W
，相當(dāng)于19.2度電，鉛蓄電池能反復(fù)充電
、放電 ，它AH8691-24v轉(zhuǎn)8.4v800AM芯片的單體電壓是2V
，電池是由一個(gè)或多個(gè)單體構(gòu)成的電池組，簡(jiǎn)稱謹(jǐn)山蓄電池 ，最常見(jiàn)的是6V
，其它還有2V、4V 、8V
、24V蓄電池 。

電功和電功率的區(qū)別：

1、性質(zhì)不同，電能可以轉(zhuǎn)化成多種其AH8691-24v轉(zhuǎn)8.4v800AM芯片他形式的能量 ，電功率是用來(lái)表示消耗電能的快慢的物理量
。

2 、計(jì)算公式不同，計(jì)算電功率可以用公式P=I^2*R和P=U^2 /R
，電功則是當(dāng)電路兩端電壓為U，橘晌友電路中的電流為I ，通電時(shí)間為t時(shí)
，電功W為：W=UIt。

3
、單位不同，焦耳和瓦特分別是電功、電功率的單位 。

4 、電功是電流所做的功 ，即有多少電能轉(zhuǎn)化成其AH8691-24v轉(zhuǎn)8.4v800AM芯片他形式的能
，電流就做了多少功單位是焦耳，用W表示
。

以上內(nèi)容參考：百度百科-電功率

以上內(nèi)容參考：百度百科-電功

am8272是什么芯片

AM8272是主控芯片。

搭載AM8272主控芯片AH8691-24v轉(zhuǎn)8.4v800AM芯片 ，穩(wěn)定信唯空肢號(hào)低延遲AH8691-24v轉(zhuǎn)8.4v800AM芯片
，指世不管看科虧襲幻大片
、玩游戲、分屏操作AH8691-24v轉(zhuǎn)8.4v800AM芯片，畫面依然流暢 。

指紋芯片模組里的ah是什么意思

1 、以AH8669為液梁含渣罩例 ，它是一顆低成本的非隔離開(kāi)關(guān)高性能交流轉(zhuǎn)直流的轉(zhuǎn)換器降壓芯片
。

2
、內(nèi)部集成650V高耐壓功率MO死FET額定700MA電流輸出
，非常適應(yīng)于消費(fèi)類電子，智能小家電鬧笑控制模塊以及給MCU供電和智能插座的家用電器上 ，目前LED應(yīng)急燈上也廣泛應(yīng)用中。

3、交流220轉(zhuǎn)12V，交流轉(zhuǎn)12V外圍元件少
，電路簡(jiǎn)單，交流220轉(zhuǎn)12V ，交流轉(zhuǎn)12V內(nèi)部集成軟啟動(dòng)電路具有多功能保護(hù)有過(guò)載保護(hù) 、過(guò)壓保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)
、還具備了自恢復(fù)功能AH8669在能源中達(dá)到了六級(jí)能效的高要求 。

關(guān)于AH8691-24v轉(zhuǎn)8.4v800AM芯片和電源芯片8a00 替換8a01的介紹到此就結(jié)束了
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