怎么用萬用表測量mos管的好壞?

以N溝道MOS場效應(yīng)管5N60C為例4腳mos管測好壞，來詳細(xì)介紹一下具體4腳mos管測好壞的測量方法。

1.N溝道MOS場效應(yīng)管好壞的測量方法

2.用數(shù)字萬用表二極管檔正向測量5N60C的D-S兩極 。

測量5N60C好壞時(shí) ，首先將萬用表量程開關(guān)調(diào)至二極管檔
，將5N60C的G極懸空，用紅黑表筆分別接觸5N60C的D-S兩極 ，若是好的管子
，萬用表顯示為“OL”，即溢出（見上圖）
。

3.用數(shù)字萬用表二極管檔反向測量5N60C的D-S兩極。

然后調(diào)換紅黑表筆 ，再去測量D-S兩極
，則萬用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降（見上圖） 。

若MOS場效應(yīng)管內(nèi)部D-S兩極之間的寄生二極管擊穿損壞，用二極管檔測量時(shí) ，萬用表顯示的讀數(shù)接近于零
。

4.用萬用表的二極管檔給5N60C柵源兩極（G-S兩極）之間的電容充電。對于N溝道MOS場效應(yīng)管充電時(shí)，紅表筆應(yīng)接管子的G極
，黑表筆接管子的S極 。

在測量完5N60C的D-S兩極，并且確實(shí)是好的之后 ，然后用二極管檔給MOS場效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電
。

由于MOS場效應(yīng)管的輸入電阻在GΩ級（GΩ讀作吉?dú)W
，1GΩ＝1000MΩ），數(shù)字萬用表二極管檔的開路測量電壓約為2.8～3V ，故用二極管檔的測量電壓給MOS場效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電后
，可以使MOS場效應(yīng)管D-S兩極之間的電阻變得很小，故用這個(gè)方法可以測量場效應(yīng)管G-S兩極之間是否損壞。

5.5N60C的G-S兩極間的電容充電后 ，用電阻檔實(shí)測D-S兩極之間的正向電阻為155.4Ω 。

6.用萬用表電阻檔實(shí)測5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω。

上面為一個(gè)好的N溝道MOS場效應(yīng)管的測量數(shù)據(jù)
。對于P溝道MOS場效應(yīng)管的測量方法與上述測量一樣
，只是萬用表表筆需要調(diào)換一下極性。

擴(kuò)展資料：

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體 。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的 ，4腳mos管測好壞他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)
。在多數(shù)情況下
，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的 。

場效應(yīng)管（FET） ，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化
。FET的增益等于它的transconductance，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道
，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管） 。而P溝道常見的為低壓mos管
。

場效應(yīng)管通過投影一個(gè)電場在一個(gè)絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實(shí)上沒有電流流過這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小 。

最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體
。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管 ，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）。因?yàn)镸OS管更小更省電
，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管 。

請問使用萬用表如何檢測MOS管好壞

萬用表檢測MOS管好壞的簡便方法

1.用黑表筆接在D極上，紅表筆接在S極上 ，一般有一個(gè)500-600的阻值

2.在黑表筆不動的前提下
，用紅表筆點(diǎn)一下G極，然后再用紅表筆測S極 ，就會出現(xiàn)導(dǎo)通

3.紅表筆接D極
，黑表筆點(diǎn)一下G極后再接S極，測得的阻值和1測的是一樣的則說明MOS管工作正常

MOS管如何檢測其是否燒壞了？謝謝回答

測試MOS好壞只能用指針式萬用表才方便點(diǎn) ，測試時(shí)選擇歐姆R×10K檔
，這時(shí)電壓可達(dá)10.5V，紅筆是負(fù)電位 ，黑筆是正電位。

測試步驟：

MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電、短路 、斷路
、放大
。其步驟如下：

1、把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上
，好的表針指示應(yīng)該是無窮大。如果有阻值沒被測MOS管有漏電現(xiàn)象 。

2 、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和源極上，然后把紅筆接到MOS的源極S上 ，黑筆接到MOS管的漏極上
，這時(shí)表針指示的值一般是0，這時(shí)是下電荷通過這個(gè)電阻對MOS管的柵極充電 ，產(chǎn)生柵極電場
，由于電場產(chǎn)生導(dǎo)致導(dǎo)電溝道致使漏極和源極導(dǎo)通，故萬用表指針偏轉(zhuǎn) ，偏轉(zhuǎn)的角度大
，放電性越好
。

3
、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開，萬用表紅黑筆不變 ，如果移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無窮大
，則MOS管漏電，不變則完好。

4、然后一根導(dǎo)線把MOS管的柵極和源極連接起來 ，如果指針立即返回?zé)o窮大，則MOS完好 。

電路中MOS管的好壞該如何判斷？

一.紅左
，黑中 、右無窮大黑左，紅中
、右無窮大紅中 ，黑右無窮大；黑中紅右顯示530（左右）
。其實(shí)場效應(yīng)管三極管很好判斷：有字面朝上從左到右依次為：G、D 、S
，有些管相反：S、D
、G。我修顯示器、主板 、電源都是從上面的方法測絕對沒問題 。你不信隨便拆塊板看一看，場效應(yīng)管在電路圖板的布局及應(yīng)VMOS大功率場效應(yīng)晶體管的檢測
。

二．1判別各電極與管型。用萬用表R×100檔 ，測量場效應(yīng)晶體管任意兩引腳之間的正
、反向電阻值 。其中一次測量中兩引腳的電阻值為數(shù)百歐姆
，這時(shí)兩表筆所接的引腳為源極S和漏極D，而另一引腳為柵極G
。再用萬用表R×10k檔測量兩引腳（漏極D與源極S）之間的正、反向電阻值。正常時(shí) ，正向電阻值為2kΩ左右
，反向電阻值大于500kΩ 。在測量反向電阻值時(shí)，紅表筆所接引腳不動 ，黑表筆脫離所接引腳后
，先與柵極G觸碰一下，然后再去接原引腳 ，觀察萬用表讀數(shù)的變化情況。若萬用表讀數(shù)由原來較大阻值變?yōu)?，則此紅表筆所接的即是源極S
，黑表筆所接為漏極D
。用黑表筆觸發(fā)柵極G有效，說明該管為N溝道場效應(yīng)管。若萬用表讀數(shù)仍為較大值 ，則黑表筆接回原引腳不變
，改用紅表筆去觸碰柵極G后再接回原引腳，若此時(shí)萬用表讀數(shù)由原來阻值較大變?yōu)? ，則此時(shí)黑表筆接的為源極S
，紅表筆接的是漏極D 。用表紅筆觸發(fā)柵極G有效，說明該管為P溝道場效應(yīng)晶體管
。

2．判別其好壞。用萬用表R×1k檔或R×10k檔 ，測量場效應(yīng)管任意兩腳之間的正 、反向電阻值 。正常時(shí)
，除漏極與源極的正向電阻值較小外，其余各引腳之間（G與D
、G與S）的正、反向電阻值均應(yīng)為無窮大
。若測得某兩極之間的電阻值接近0Ω ，則說明該管已擊穿損壞。另外
，還可以用觸發(fā)柵極（P溝道場效應(yīng)晶體管用紅表筆觸發(fā)，N溝道場效應(yīng)管用黑表筆觸發(fā)）的方法來判斷場應(yīng)管是否損壞 。若觸發(fā)有效（觸發(fā)柵極G后 ，D 、S極之間的正
、反向電阻均變?yōu)?），則可確定該管性能良好
。用吧三,1用10K檔,內(nèi)有15伏電池.可提供導(dǎo)通電壓.2因?yàn)闁艠O等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來,否則是壞管.3利用表筆對柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便.但要放電時(shí)需短路管腳或反充.4大都源漏間有反并二極管,應(yīng)注意,及幫助判斷.5大都封莊為字面對自已時(shí),左柵中漏右源。

電動車控制器MOS管如何檢測好壞

首先,斷開控制器與電源連接
，把控制器粗黑線與粗紅線碰接短路，這樣做的目的是放完內(nèi)部電容余電 。

然后 ，把三根粗黃線對粗黑碰線短接
，目的同上
。一定要放電后再進(jìn)行測量。這三根粗黃線實(shí)際上是三根相線 。

做完以上準(zhǔn)備工作后，按以下三個(gè)步驟操作 ，即可判斷控制器好壞。

第一步：將萬用表置于二極管檔測量
，用紅表筆接控制器負(fù)極，黑表筆依次測量控制器主線中的黃、綠 、藍(lán)線 ，讀數(shù)約在500左右（數(shù)字萬用表）
，三次讀數(shù)應(yīng)基本一致
。

第二步：用萬用表黑表筆接控制器正極，紅表筆依次接控制器主線黃
、綠、藍(lán)線 ，讀數(shù)約在500左右
，三次讀數(shù)應(yīng)基本一致

第三步：如果第一 、二步的測量正常，則表示無刷控制器基本正常 ，把控制器與車體線路正常連接，接通電源
，拔掉制動線，用萬用表電壓檔測量轉(zhuǎn)把5V電壓是否正常。

若以上測試正常 ，表示控制器基本正常
，否則可判定控制器損壞 。

擴(kuò)展資料

電動車控制器的作用

1、驅(qū)動電機(jī)旋轉(zhuǎn)
。

2
、在轉(zhuǎn)把的控制下改變電機(jī)驅(qū)動電流，從而實(shí)現(xiàn)電機(jī)速度的調(diào)整。

3、在閘把（剎把）的控制下切斷輸出電流 ，實(shí)現(xiàn)剎車控制 。

4 、對蓄電池電壓進(jìn)行檢測
，在蓄電池存儲的電壓接近“放電終止電壓 ”時(shí)，通過控制器面板（或儀表顯示盤）來顯示電量不足；提醒騎行者調(diào)整自己的行程 ，當(dāng)達(dá)到終止電壓時(shí)
，通過取樣電阻將該信號送到比較器，由電路輸出保護(hù)信號 ，致使
、保護(hù)電路按預(yù)先設(shè)定的程序發(fā)出指令
，切斷電流以保護(hù)充電器和蓄電池
。

5、過流保護(hù)，電流過大時(shí)過流保護(hù)電路動作 ，使電機(jī)停轉(zhuǎn)，避免過流給電機(jī)和控制器帶來危害。另外
，部分控制器還具有防飛車保護(hù) 、巡行限速等功能 。

MOS管用數(shù)字萬用表怎么測其好壞及引腳？

用數(shù)字萬用表測量MOS管好壞及引腳的方法：以N溝道MOS場效應(yīng)管為例
。

一
、先確定MOS管的引腳：

1、先對MOS管放電，將三個(gè)腳短路即可；

1 、首先找出場效應(yīng)管的D極（漏極）。對于TO-252
、TO-220這類封裝的帶有散熱片的場效應(yīng)管 ，它們的散熱片在內(nèi)部是與管子的D極相連的
，故我們可用數(shù)字萬用表的二極管檔測量管子的各個(gè)引腳，哪個(gè)引腳與散熱片相連 ，哪個(gè)引腳就是D極 。

2、找到D極后
，將萬用表調(diào)至二極管檔；

3 、用黑表筆接觸管子的D極，用紅表筆分別接觸管子的另外兩個(gè)引腳
。若接觸到某個(gè)引腳時(shí) ，萬用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降
，那么該引腳即為S極（源極），剩下的那個(gè)引腳即為G極（柵極）。

二
、MOS管好壞的測量：

1、當(dāng)把紅表筆放在S極上 ，黑表筆放在D極上
，可以測出來這個(gè)導(dǎo)通壓降，一般在0.5V左右為正常；

2 、G腳測量 ，需要先對G極充下電，把紅表筆放在G極
，黑表筆放在S極；

3、再次把紅表筆放在S極上，黑表筆放在D極上 ，可以測出來這個(gè)放大壓降
，一般在0.3V左右為正常；

擴(kuò)展資料

MOS管的主要參數(shù)

1
、開啟電壓VT

開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；

標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V；通過工藝上的改進(jìn) ，可以使MOS管的VT值降到2～3V 。

2、直流輸入電阻RAH

即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

這一特性有時(shí)以流過柵極的柵流表示

MOS管的RAH可以很容易地超過1010Ω。

3. 、漏源擊穿電壓BVDS

在VAH=0（增強(qiáng)型）的條件下
，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：

（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿；

（2）漏源極間的穿通擊穿；

有些MOS管中，其溝道長度較短 ，不斷增加VDS會使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)
，使溝道長度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通 ，穿通后
，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場的吸引 ，到達(dá)漏區(qū)，產(chǎn)生大的ID
。

4
、柵源擊穿電壓BVAH

在增加?xùn)旁措妷哼^程中
，使柵極電流IG由零開始劇增時(shí)的VAH，稱為柵源擊穿電壓BVAH。

5、低頻跨導(dǎo)gm

在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)；

gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力
，是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)

一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)

6 、導(dǎo)通電阻RON

導(dǎo)通電阻RON說明了VDS對ID的影響，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)

在飽和區(qū) ，ID幾乎不隨VDS改變
，RON的數(shù)值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間

由于在數(shù)字電路中 ，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下
，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來近似

·對一般的MOS管而言，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)

7
、極間電容

三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容CAH、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

CAH和CGD約為1～3pF ，CDS約在0.1～1pF之間

8 、低頻噪聲系數(shù)NF

噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動的不規(guī)則性所引起的 ?！び捎谒拇嬖?
，就使一個(gè)放大器即便在沒有信號輸人時(shí)，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化

噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示 ，它的單位為分貝（dB）
。這個(gè)數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小

低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測出的噪聲系數(shù)

場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝
，它比雙極性三極管的要小

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