場效應(yīng)管分為幾種？

場效應(yīng)管（FET）是一種電壓掌握電流器件。其特色是輸出電阻高 ，噪聲系數(shù)低
，受溫度和輻射影響小 。因此特殊運用于高敏銳度 、低噪聲電路中 
。

場效應(yīng)管的品種許多，按構(gòu)造可分為兩大類：結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵型場效應(yīng)管（IGFET）.結(jié)型場效應(yīng)管又分為N溝道和P溝道兩種。絕緣柵場效應(yīng)管次要指金屬--氧化物--半導(dǎo)體場效應(yīng)管（mos管）

 。MOS管又分為“耗盡型 ”和“加強型
”兩種 ，而每一種又分為N溝道和P溝道 
。

結(jié)型場效應(yīng)管是應(yīng)用導(dǎo)電溝道之間耗盡區(qū)的寬窄來掌握電流的
，輸出電阻（105～1015）之間；

絕緣柵型是應(yīng)用感應(yīng)電荷的若干來掌握導(dǎo)電溝道的寬窄從而掌握電流的巨細，其輸出阻抗很高(柵極與其它電極相互絕緣)。它在硅片上的集成度高 ，因而在大范圍集成電路中占領(lǐng)極端主要的位置  。

MOSFET 有幾種類型
，電路符號是什么樣？

一
、場效應(yīng)管的分類 按溝道半導(dǎo)體材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分 ，場效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強型
。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型
，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強型的。 場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管 。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類
。見下圖。

二、場效應(yīng)三極管的型號命名方法 第二種命名方法是AH ××# ，AH 代表場效應(yīng)管
，××以數(shù)字代表型號的序號，#用字母代表同一型號中的不同規(guī)格 。例如AH 14A 、AH 45G等
。

三
、場效應(yīng)管的參數(shù) 1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中 ，柵極電壓U AH=0時的漏源電流 。 2 、UP — 夾斷電壓
。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中
，使漏源間剛截止時的柵極電壓。 3、UT — 開啟電壓 。是指增強型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓
。 4
、gM — 跨導(dǎo)。是表示柵源電壓U AH — 對漏極電流I D的控制能力 ，即漏極電流I D變化量與柵源電壓UAH變化量的比值 。gM 是衡量場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。 5、BUDS — 漏源擊穿電壓
。是指柵源電壓UAH一定時
，場效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限參數(shù)，加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS 。 6 、PDSM — 最大耗散功率
。也是一項極限參數(shù) ，是指場效應(yīng)管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時，場效應(yīng)管實際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量 。 7
、IDSM — 最大漏源電流
。是一項極限參數(shù)
，是指場效應(yīng)管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過IDSM.

MOS管至少有四個引腳
，四個引腳分別怎么用？

MOS管只有四個引腳，即漏極、柵極 、源極和襯底 。

NMOS和PMOS的接法是不一樣的
。

NMOS：漏極→輸出信號
、柵極→輸入信號、源極→低電平(或地) 、襯底→低電平(或地)。

PMOS：漏極→輸出信號
、柵極→輸入信號、源極→高電平(或電源) 、襯底→高電平(或電源) 。

MOS管有用的管腳就是三個：源極
、漏極、柵極
。多余的管腳或者是同名管腳（在內(nèi)部和漏極 、柵極相連 ，特別是有些大功率管）
，或者是空腳（沒有內(nèi)部連接，只起焊接固定作用）。

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