mos管用數(shù)字萬(wàn)用表怎么測(cè)其好壞及引腳？

用數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)量MOS管好壞及引腳的方法：以N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例。

一 、先確定MOS管的引腳：

1
、先對(duì)MOS管放電，將三個(gè)腳短路即可；

1、首先找出場(chǎng)效應(yīng)管的D極（漏極） 。對(duì)于TO-252 、TO-220這類(lèi)封裝的帶有散熱片的場(chǎng)效應(yīng)管 ，它們的散熱片在內(nèi)部是與管子的D極相連的
，故我們可用數(shù)字萬(wàn)用表的二極管檔測(cè)量管子的各個(gè)引腳，哪個(gè)引腳與散熱片相連 ，哪個(gè)引腳就是D極
。

2、找到D極后，將萬(wàn)用表調(diào)至二極管檔；

3
、用黑表筆接觸管子的D極
，用紅表筆分別接觸管子的另外兩個(gè)引腳。若接觸到某個(gè)引腳時(shí)，萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降 ，那么該引腳即為S極（源極）
，剩下的那個(gè)引腳即為G極（柵極） 。

二、MOS管好壞的測(cè)量：

1 、當(dāng)把紅表筆放在S極上，黑表筆放在D極上 ，可以測(cè)出來(lái)這個(gè)導(dǎo)通壓降
，一般在0.5V左右為正常；

2
、G腳測(cè)量，需要先對(duì)G極充下電 ，把紅表筆放在G極
，黑表筆放在S極；

3、再次把紅表筆放在S極上，黑表筆放在D極上 ，可以測(cè)出來(lái)這個(gè)放大壓降
，一般在0.3V左右為正常；

擴(kuò)展資料

MOS管的主要參數(shù)

1 、開(kāi)啟電壓VT

開(kāi)啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開(kāi)始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；

標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V；通過(guò)工藝上的改進(jìn) ，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2
、直流輸入電阻RAH

即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示

MOS管的RAH可以很容易地超過(guò)1010Ω
。

3.、漏源擊穿電壓BVDS

在VAH=0（增強(qiáng)型）的條件下，在增加漏源電壓過(guò)程中使ID開(kāi)始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：

（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿；

（2）漏源極間的穿通擊穿；

有些MOS管中
，其溝道長(zhǎng)度較短，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū) ，使溝道長(zhǎng)度為零
，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后 ，源區(qū)中的多數(shù)載流子
，將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引，到達(dá)漏區(qū) ，產(chǎn)生大的ID。

4 、柵源擊穿電壓BVAH

在增加?xùn)旁措妷哼^(guò)程中
，使柵極電流IG由零開(kāi)始劇增時(shí)的VAH，稱為柵源擊穿電壓BVAH 。

5
、低頻跨導(dǎo)gm

在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)；

gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力
，是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)

一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)

6、導(dǎo)通電阻RON

導(dǎo)通電阻RON說(shuō)明了VDS對(duì)ID的影響，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)

在飽和區(qū) ，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大
，一般在幾十千歐到幾百千歐之間

由于在數(shù)字電路中，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下 ，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來(lái)近似

·對(duì)一般的MOS管而言
，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)

7 、極間電容

三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容CAH
、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

CAH和CGD約為1～3pF，CDS約在0.1～1pF之間

8、低頻噪聲系數(shù)NF

噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的
?！び捎谒拇嬖? ，就使一個(gè)放大器即便在沒(méi)有信號(hào)輸人時(shí)
，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化

噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來(lái)表示，它的單位為分貝（dB）。這個(gè)數(shù)值越小 ，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小

低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測(cè)出的噪聲系數(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝
，它比雙極性三極管的要小

怎么用萬(wàn)用表測(cè)量MOS管的好壞?

以N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管5N60C為例4n65emos管怎么測(cè)好壞，來(lái)詳細(xì)介紹一下具體4n65emos管怎么測(cè)好壞的測(cè)量方法 。

1.N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管好壞4n65emos管怎么測(cè)好壞的測(cè)量方法

2.用數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔正向測(cè)量5N60C的D-S兩極
。

測(cè)量5N60C好壞時(shí) ，首先將萬(wàn)用表量程開(kāi)關(guān)調(diào)至二極管檔
，將5N60C的G極懸空，用紅黑表筆分別接觸5N60C的D-S兩極 ，若是好的管子，萬(wàn)用表顯示為“OL ”
，即溢出（見(jiàn)上圖）。

3.用數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔反向測(cè)量5N60C的D-S兩極 。

然后調(diào)換紅黑表筆，再去測(cè)量D-S兩極 ，則萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降（見(jiàn)上圖）
。

若MOS場(chǎng)效應(yīng)管內(nèi)部D-S兩極之間的寄生二極管擊穿損壞
，用二極管檔測(cè)量時(shí)，萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)接近于零。

4.用萬(wàn)用表的二極管檔給5N60C柵源兩極（G-S兩極）之間的電容充電 。對(duì)于N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管充電時(shí) ，紅表筆應(yīng)接管子的G極
，黑表筆接管子的S極
。

在測(cè)量完5N60C的D-S兩極，并且確實(shí)是好的之后 ，然后用二極管檔給MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電。

由于MOS場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻在GΩ級(jí)（GΩ讀作吉?dú)W
，1GΩ＝1000MΩ），數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔的開(kāi)路測(cè)量電壓約為2.8～3V ，故用二極管檔的測(cè)量電壓給MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電后
，可以使MOS場(chǎng)效應(yīng)管D-S兩極之間的電阻變得很小，故用這個(gè)方法可以測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管G-S兩極之間是否損壞 。

5.5N60C的G-S兩極間的電容充電后 ，用電阻檔實(shí)測(cè)D-S兩極之間的正向電阻為155.4Ω。

6.用萬(wàn)用表電阻檔實(shí)測(cè)5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω
。

上面為一個(gè)好的N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量數(shù)據(jù)。對(duì)于P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法與上述測(cè)量一樣，只是萬(wàn)用表表筆需要調(diào)換一下極性 。

擴(kuò)展資料4n65emos管怎么測(cè)好壞：

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體
。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下 ，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的
，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能 。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的
。

場(chǎng)效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance ，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比 。市面上常有的一般為N溝道和P溝道
，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管）
。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管。

場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流 。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小
。

最普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管 ，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET） 。因?yàn)镸OS管更小更省電
，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代4n65emos管怎么測(cè)好壞了雙極型晶體管。

MOS管如何檢測(cè)其是否燒壞了？謝謝回答

測(cè)試MOS好壞只能用指針式萬(wàn)用表才方便點(diǎn)4n65emos管怎么測(cè)好壞，測(cè)試時(shí)選擇歐姆R×10K檔4n65emos管怎么測(cè)好壞 ，這時(shí)電壓可達(dá)10.5V4n65emos管怎么測(cè)好壞
，紅筆是負(fù)電位，黑筆是正電位
。

測(cè)試步驟4n65emos管怎么測(cè)好壞：

MOS管4n65emos管怎么測(cè)好壞的檢測(cè)主要是判斷MOS管漏電 、短路、斷路
、放大。其步驟如下：

1、把紅筆接到MOS的源極S上 ，黑筆接到MOS管的漏極上，好的表針指示應(yīng)該是無(wú)窮大 。如果有阻值沒(méi)被測(cè)MOS管有漏電現(xiàn)象
。

2 、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和源極上
，然后把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上 ，這時(shí)表針指示的值一般是0
，這時(shí)是下電荷通過(guò)這個(gè)電阻對(duì)MOS管的柵極充電，產(chǎn)生柵極電場(chǎng) ，由于電場(chǎng)產(chǎn)生導(dǎo)致導(dǎo)電溝道致使漏極和源極導(dǎo)通
，故萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)，偏轉(zhuǎn)的角度大 ，放電性越好。

3
、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開(kāi)
，萬(wàn)用表紅黑筆不變，如果移開(kāi)電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無(wú)窮大 ，則MOS管漏電
，不變則完好 。

4、然后一根導(dǎo)線把MOS管的柵極和源極連接起來(lái)，如果指針立即返回?zé)o窮大 ，則MOS完好
。

mos管怎么測(cè)試好壞

用萬(wàn)能表檢測(cè)mos管好壞的方法：

將萬(wàn)用表兩個(gè)表筆分別搭接在其他兩個(gè)極：給B極與任意一個(gè)極接一個(gè)10千歐姆電阻，電阻先不要接上
，把表筆分別放在兩級(jí)，電阻這時(shí)再接觸 ，指針擺動(dòng)越大證明該管子放大系數(shù)就越大
，也就是說(shuō)該管子就越好，反之越差。

接電阻的那一端為C極；若是紅表筆為P管 ，黑表筆為N管 。凡是不符合以上測(cè)量數(shù)據(jù)的三極管都是壞的
。

萬(wàn)用表的相關(guān)要求規(guī)定：

1 、指針表讀取精度較差
，但指針擺動(dòng)的過(guò)程比較直觀，其擺動(dòng)速度幅度有時(shí)也能比較客觀地反映了被測(cè)量的大?。ū热鐪y(cè)電視機(jī)數(shù)據(jù)總線(SDL)在傳送數(shù)據(jù)時(shí)的輕微抖動(dòng)）；數(shù)字表讀數(shù)直觀 ，但數(shù)字變化的過(guò)程看起來(lái)很雜亂
，不太容易觀看。

2
、數(shù)字萬(wàn)用表的準(zhǔn)確度是測(cè)量結(jié)果中系統(tǒng)誤差與隨機(jī)誤差的綜合 。它表示測(cè)量值與真值的一致程度，也反映測(cè)量誤差的大小
。一般講準(zhǔn)確度愈高 ，測(cè)量誤差就愈小
，反之亦然。

3、指針表內(nèi)一般有兩塊電池，一塊低電壓的1.5V,一塊是高電壓的9V或15V,其黑表筆相對(duì)紅表筆來(lái)說(shuō)是正端 。數(shù)字表則常用一塊6V或9V的電池。在電阻檔 ，指針表的表筆輸出電流相對(duì)數(shù)字表來(lái)說(shuō)要大很多，用R×1Ω檔可以使揚(yáng)聲器發(fā)出響亮的“噠
”聲
，用R×10kΩ檔甚至可以點(diǎn)亮發(fā)光二極管
。

根據(jù)客戶要求的不同，我司有針對(duì)4n65emos管怎么測(cè)好壞產(chǎn)品多種技術(shù)處理方案 ，技術(shù)資料也有所不同
，所以不能直接呈現(xiàn)，有需求的客戶請(qǐng)與聯(lián)系我們洽淡13715099949/聯(lián)系13715099949/13247610001 ，謝謝！